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SI4435DDY-T1-GE3供應商庫存 共有148條更新時間:2023-1-28 20:08:00

SI4435DDY-T1-GE3中文資料資料下載文件大?。?strong>279 Kbytes頁面數量:10 頁描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET廠家:VISHAY [Vishay Intertechnology, Inc.]
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SI4435DDY-T1-GE3 深圳市力通偉業半導體有限公司

VishaySiP溝道MOSFETSI4435DDY-T1-GE3,8.1A,Vds=30V,8針SOIC封裝

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SI4435DDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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