VishaySiP溝道MOSFETSI4435DDY-T1-GE3,8.1A,Vds=30V,8針SOIC封裝
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SI4435DDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube