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SI4435BDY-T1-E3供應商庫存共有44條更新時間：2023-1-28 23:14:00: SI4435BDY-T1-E3中文資料資料下載文件大?。?strong>1001 Kbytes頁面數量：9 頁描述：P-Channel 30-V (D-S) MOSFET廠家：VBSEMI [VBsemi Electronics Co. Ltd]; 篩選型號數量大于廠商批號封裝精確

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SI4435BDY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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