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SI4214DDY-T1-GE3供應商庫存共有352條更新時間：2023-1-29 0:44:00: SI4214DDY-T1-GE3中文資料資料下載文件大?。?strong>249 Kbytes頁面數量：10 頁描述：Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET廠家：VISHAY [Vishay Intertechnology, Inc.]; 篩選型號數量大于廠商批號封裝精確

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SI4214DDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 8.5A 3.1W 19.5mohm @ 10V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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