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IXGH20N60供應商庫存 共有276條更新時間:2022-12-8 10:14:00

20N60中文資料資料下載文件大?。?strong>95 Kbytes頁面數量:2 頁描述:Fast Switching廠家:ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
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IXGH20N60圖片

IXGH20N60BD1價格

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IXGH20N60中文資料Alldatasheet PDF

這里有IXGH20N60是什么芯片,IXGH20N60中文資料規格書PDF技術資料引腳參數圖及功能。

IXGH20N60功能描述:IGBT 晶體管 LOW V IGBT 600V 40A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube

IXGH20N60A功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube

IXGH20N60AU1功能描述:MOSFET 40 Amps 600V 3.0 V Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IXGH20N60B功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube

IXGH20N60BD1功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube

IXGH20N60BS功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247SMD

IXGH20N60BU1功能描述:IGBT 晶體管 G-series A,B,C RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube

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