IPB200N25N3 G功能描述:MOSFET N-channel POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB200N25N3GATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Cut TR (SOS) 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
IPB200N25N3GATMA1/SAMPLE制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
IPB200N25N3G_10制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS3 Power-Transistor
IPB200N25N3G制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
