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IPB180N04S4-H0供應商庫存 共有67條更新時間:2023-1-16 17:02:00

IPB180N04S4-H0中文資料資料下載文件大?。?strong>168 Kbytes頁面數量:9 頁描述:OptiMOS-T2 Power-Transistor廠家:INFINEON [Infineon Technologies]
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IPB180N04S4-H0功能描述:MOSFET N-Channel 40V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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