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英飛凌推出1200VCoolSiCMOSFETM1H芯片,以增強特性進一步提高系統能效

時間:2022-5-17 10:26:00
摘要: M1H將被集成到備受青睞的Easy系列中,以進一步優化Easy 1B和2B模塊。此外,英飛凌還將推出一款新產品,利用全新的1200 V CoolSiCTMMOSFET技術和增強Easy 3B模塊。新芯片尺寸的推出最大限度地提高了靈活性,適用于廣泛的工業產品組合。采用M1H芯片,可顯著降低模塊的導通電阻,

英飛凌科技股份公司近日發布了一項全新的CoolSiC?技術,即CoolSiC?MOSFET1200 V M1H。這款先進的碳化硅(SiC)芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列,以及采用基于.XT互連技術的分立式封裝,具有非常廣泛的產品組合。M1H芯片具有很高的靈活性,適用于必須滿足峰值電力需求的太陽能系統,如光伏逆變器。同時,這款芯片也是電動汽車快充、儲能系統和其他工業應用的理想選擇。

CoolSiC技術取得的最新進展使得柵極驅動電壓窗口明顯增大,從而降低了既定芯片面積下的導通電阻。與此同時,隨著柵極運行窗口的擴大,柵極能很好地耐受與驅動器和布局相關的電壓峰值,即使在更高開關頻率下亦不受任何限制。除了M1H芯片技術,還可通過采用不同封裝使不同型號的產品實現更高功率密度,為設計工程師提供更多選擇,助力其提升應用性能。

Easy模塊可實現更高的功率密度

M1H將被集成到備受青睞的Easy系列中,以進一步優化Easy 1B和2B模塊。此外,英飛凌還將推出一款新產品,利用全新的1200 V CoolSiCTMMOSFET技術和增強Easy 3B模塊。新芯片尺寸的推出最大限度地提高了靈活性,適用于廣泛的工業產品組合。采用M1H芯片,可顯著降低模塊的導通電阻,讓設備更加可靠和高效。

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CoolSiCTMMOSFET1200V Easy 3B

此外,M1H芯片的最高結溫為175°C,具備更出色的過載能力,可實現更高的功率密度,同時擴展了系統安全工作區。與其前身M1芯片相比,M1H芯片實現了更低的內部柵極電阻(RG),這有利于輕松優化開關特性。M1H芯片保持了其動態特性。

具備超低導通電阻的分立式封裝

除了集成Easy模塊系列之外,CoolSiCTM MOSFET 1200 V M1H產品組合還采用了TO247-3和TO247-4分立式封裝,導通電阻值極低,根據不同的型號分為7 mΩ、14 mΩ和20 mΩ。這些新器件的最大柵源電壓低至-10 V,改善了柵極電壓過沖和下沖,并且實現了良好的抗雪崩擊穿能力和短路耐受能力,可以輕松用于產品設計。

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CoolSiCTMMOSFET 1200V TO247-3和TO247-4

以前在D2PAK-7L封裝中引入的英飛凌.XT互連技術,現在也可在TO封裝中實現。較之標準互連技術,其散熱能力提高了30%以上。這樣的散熱性能提升帶來了極大的裨益,可以將輸出功率提高多達15%。另外,它還能提高開關頻率,進一步減少諸如電動汽車(EV)充電、儲能或光伏系統等應用中所需的無源器件,從而提高功率密度并降低系統成本。.XT互連技術可降低SiC MOSFET結溫,而不改變系統運行條件,因此大大延長了系統的使用壽命,提高了功率循環能力。這也是伺服驅動器等設備的關鍵要求。

新推出的1200 V CoolSiCTM MOSFET M1H芯片將進一步釋放SiC技術的應用潛力,在全球范圍內推動清潔能源的開發利用,并提高能源效率。
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