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DMG1供應商庫存 共有4287條更新時間:2023-1-28 8:23:00

DMG1012T中文資料資料下載文件大?。?strong>1915 Kbytes頁面數量:9 頁描述:N-Channel 20 V (D-S) MOSFET廠家:VBSEMI [VBsemi Electronics Co. Ltd]
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DMG1資訊

DMG1016UDW-7

DMG1016UDW-7

DMG1012UW-7

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DMG1012原裝現貨

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DMG1012

DMG1012全新原裝新到現貨庫存,聯系電話:13148740183黃小姐

DMG1012T-7

DMG1012T-7美臺全新原裝現貨,聯系電話:13148740183黃小姐

DMG1012T-7粵駿騰現貨熱銷

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DMG1013T-7價格

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DMG1中文資料Alldatasheet PDF

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DMG1012UW-7功能描述:MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

DMG1012UW制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH W ESD 20V 1A SOT323 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W ESD, 20V, 1A, SOT323 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W ESD, 20V, 1A, SOT323; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:290mW; No. of Pins:3;RoHS Compliant: Yes

DMG1012T-7功能描述:MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

DMG1023UV制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DMG1016V制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

DMG1016UDW制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

DMG1013UW制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DMG1013T制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DMG1553-5制造商:Pulse 功能描述:NON QPL 1553 - Bulk

DMG1553-45制造商:Pulse 功能描述:NON QPL 1553 - Bulk

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